casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP40N10PDF-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP40N10PDF-E1-AY |
---|---|
Número de parte futuro | FT-NP40N10PDF-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP40N10PDF-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP40N10PDF-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP40N10PDF-E1-AY-FT |
JANTXV2N6764
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6770
Microsemi Corporation
JANTXV2N6770T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6782
Microsemi Corporation
JANTXV2N6782U
Microsemi Corporation
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel