casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP180N055TUJ-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP180N055TUJ-E1-AY |
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Número de parte futuro | FT-NP180N055TUJ-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP180N055TUJ-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263-7 |
Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP180N055TUJ-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP180N055TUJ-E1-AY-FT |
BSS138W L6433
Infineon Technologies
BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS209PW
Infineon Technologies
BSS209PW L6327
Infineon Technologies
BSS214NW L6327
Infineon Technologies
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS223PW L6327
Infineon Technologies
BSS223PWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS816NW L6327
Infineon Technologies
BSS84PW
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel