casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS816NW L6327
Número de pieza del fabricante | BSS816NW L6327 |
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Número de parte futuro | FT-BSS816NW L6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSS816NW L6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 3.7µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 180pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT323-3 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS816NW L6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSS816NW L6327-FT |
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