casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSL302SNH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BSL302SNH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSL302SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL302SNH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 750pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSOP-6-6 |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL302SNH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSL302SNH6327XTSA1-FT |
NDS7002A_NB9GGTXA
ON Semiconductor
NDT451AN_J23Z
ON Semiconductor
RQJ0303PGDQA#H6
Renesas Electronics America
SI2300DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel