casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS138WH6433XTMA1
Número de pieza del fabricante | BSS138WH6433XTMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSS138WH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS™ |
BSS138WH6433XTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 280mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 26µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 43pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT323-3 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS138WH6433XTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSS138WH6433XTMA1-FT |
PMN55ENEH
Nexperia USA Inc.
BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
PMN120ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN16XNEX
Nexperia USA Inc.
BSH207,135
Nexperia USA Inc.
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL202SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL207SP
Infineon Technologies
BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL207SPL6327HTSA1
Infineon Technologies