casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NESG2030M04-T2-A
Número de pieza del fabricante | NESG2030M04-T2-A |
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Número de parte futuro | FT-NESG2030M04-T2-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NESG2030M04-T2-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 2.3V |
Frecuencia - Transición | 60GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz |
Ganancia | 16dB |
Potencia - max | 80mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 5mA, 2V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-343F |
Paquete del dispositivo del proveedor | M04 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NESG2030M04-T2-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NESG2030M04-T2-A-FT |
2SC3934G0L
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2SC3937G0L
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XC3S1500-4FGG456C
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AFS600-1FGG484
Microsemi Corporation
APA600-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256
Microsemi Corporation
10AX032E2F29E2SG
Intel
XC6VSX315T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PL84I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel