casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5415AE-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SC5415AE-TD-E |
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Número de parte futuro | FT-2SC5415AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5415AE-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 6.7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 9dB |
Potencia - max | 800mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AE-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC5415AE-TD-E-FT |
MRF5812G
Microsemi Corporation
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
EPF10K200EBC600-2
Intel
EP3C40F484C6
Intel
5SGXEA5N2F40C3N
Intel
10CX220YF780E5G
Intel
5SGXEA9N3F45I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation