casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5415AE-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SC5415AE-TD-E |
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Número de parte futuro | FT-2SC5415AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5415AE-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 6.7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 9dB |
Potencia - max | 800mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AE-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC5415AE-TD-E-FT |
MRF5812G
Microsemi Corporation
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C3N
Intel
EP3SL200H780C4LN
Intel
XC2V1500-5BGG575I
Xilinx Inc.
XC5VLX30-2FF324C
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C6N
Intel
EP4SGX230DF29C2XN
Intel
EPF10K100ARC240-1N
Intel