casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5415AF-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SC5415AF-TD-E |
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Número de parte futuro | FT-2SC5415AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5415AF-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 6.7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Ganancia | 9dB |
Potencia - max | 800mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AF-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC5415AF-TD-E-FT |
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel