casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NDT03N40ZT1G
Número de pieza del fabricante | NDT03N40ZT1G |
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Número de parte futuro | FT-NDT03N40ZT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDT03N40ZT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 140pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 (TO-261) |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDT03N40ZT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NDT03N40ZT1G-FT |
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