casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NDD60N550U1-1G
Número de pieza del fabricante | NDD60N550U1-1G |
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Número de parte futuro | FT-NDD60N550U1-1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDD60N550U1-1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 540pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 94W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD60N550U1-1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NDD60N550U1-1G-FT |
NTD15N06-001
ON Semiconductor
NTD15N06L-001
ON Semiconductor
NTD18N06-001
ON Semiconductor
NTD18N06-1G
ON Semiconductor
NTD18N06L-001
ON Semiconductor
NTD18N06L-1G
ON Semiconductor
NTD20N03L27-001
ON Semiconductor
NTD20N03L27-1G
ON Semiconductor
NTD20N06-001
ON Semiconductor
NTD20N06-1G
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel