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ON Semiconductor NDDP010N25AZ-1H

Name: NDDP010N25AZ-1H
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDDP010N25AZ-1H
Availability: InStock
Rating: 4.8 (347 reviews)

Número de pieza de MFG: NDDP010N25AZ-1H

Cantidad disponible: 12320 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: NDDP010N25AZ-1H.pdf

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NDDP010N25AZ-1H Presupuesto

Número de pieza del fabricante	NDDP010N25AZ-1H
Número de parte futuro	FT-NDDP010N25AZ-1H
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NDDP010N25AZ-1H Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	980pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	IPAK/TP
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDDP010N25AZ-1H Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	NDDP010N25AZ-1H-FT

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