casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NDT02N40T1G
Número de pieza del fabricante | NDT02N40T1G |
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Número de parte futuro | FT-NDT02N40T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDT02N40T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 400mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 Ohm @ 220mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 121pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 (TO-261) |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDT02N40T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NDT02N40T1G-FT |
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Microsemi Corporation
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
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