casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND01GW3A2AN6E
Número de pieza del fabricante | NAND01GW3A2AN6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND01GW3A2AN6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND01GW3A2AN6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 30ns |
Tiempo de acceso | 30ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GW3A2AN6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND01GW3A2AN6E-FT |
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-E32
Swissbit
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD
Swissbit
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02
Swissbit
M48Z58Y-70MH1F
STMicroelectronics
M48Z35Y-70MH1F
STMicroelectronics
M48Z35AV-10MH1E
STMicroelectronics
M48Z35AV-10MH6F
STMicroelectronics
M48Z35Y-70MH1E
STMicroelectronics
M48Z35Y-70MH6E
STMicroelectronics
M48Z58Y-70MH1E
STMicroelectronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel