casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MX25L6406EMBI-12G
Número de pieza del fabricante | MX25L6406EMBI-12G |
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Número de parte futuro | FT-MX25L6406EMBI-12G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx05/06 |
MX25L6406EMBI-12G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frecuencia de reloj | 86MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 300µs, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L6406EMBI-12G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MX25L6406EMBI-12G-FT |
GD25D10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
25LC512-I/SM
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24FC512-I/SM
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SST26VF016B-104I/SM
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BR24C02-MN6TP
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LCMXO2-640ZE-1TG100I
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EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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XC7VX415T-1FFG1157I
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LFXP3E-4Q208I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
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LCMXO3L-640E-6MG121I
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EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
Intel