casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD25D10CTIGR
Número de pieza del fabricante | GD25D10CTIGR |
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Número de parte futuro | FT-GD25D10CTIGR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25D10CTIGR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50µs, 4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Dual I/O |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25D10CTIGR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD25D10CTIGR-FT |
W25Q64FVSSIP
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W25Q64FVSSIQ
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W25Q80BLSSIG
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W25Q80BLSSIG TR
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W25X16AVSSIG
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W25X16VSSIG
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A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
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