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Número de pieza del fabricante | GD25LQ40CTIGR |
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Número de parte futuro | FT-GD25LQ40CTIGR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25LQ40CTIGR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50µs, 2.4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25LQ40CTIGR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD25LQ40CTIGR-FT |
W25Q80BLSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q80BVSSIG
Winbond Electronics
W25Q80BVSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q80BWSSIG
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W25Q80BWSSIG TR
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W25X16AVSSIG
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W25X16VSSIG
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W25X16VSSIG T&R
Winbond Electronics
W25X32VSSIG
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W25X32VSSIG T&R
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XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
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A1020B-PQG100C
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XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation