casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MX25L12836EZNI-10G
Número de pieza del fabricante | MX25L12836EZNI-10G |
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Número de parte futuro | FT-MX25L12836EZNI-10G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ |
MX25L12836EZNI-10G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 300µs, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WSON (8x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L12836EZNI-10G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MX25L12836EZNI-10G-FT |
DS1220Y-100IND+
Maxim Integrated
DS1220Y-150+
Maxim Integrated
DS1220Y-200+
Maxim Integrated
DS1220Y-200IND+
Maxim Integrated
DS2431G+T&R
Maxim Integrated
DS2431GA+T&R
Maxim Integrated
DS28E25G+T
Maxim Integrated
DS2502G+U
Maxim Integrated
DS24B33G+T&R
Maxim Integrated
DS2502G+T&R
Maxim Integrated
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel