casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E25G+T
Número de pieza del fabricante | DS28E25G+T |
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Número de parte futuro | FT-DS28E25G+T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E25G+T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.97V ~ 3.63V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-SFN (6x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25G+T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E25G+T-FT |
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
DS2502R-00C+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+U
Maxim Integrated
DS28CN01U-W0D+1T-C
Maxim Integrated
DS2502S+
Maxim Integrated
DS2460S+
Maxim Integrated
DS2460S+T&R
Maxim Integrated
DS2502S+T&R
Maxim Integrated
DS2431X-S+
Maxim Integrated
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation