casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E25G+T
Número de pieza del fabricante | DS28E25G+T |
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Número de parte futuro | FT-DS28E25G+T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E25G+T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.97V ~ 3.63V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-SFN (6x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25G+T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E25G+T-FT |
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
DS2502R-00C+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+U
Maxim Integrated
DS28CN01U-W0D+1T-C
Maxim Integrated
DS2502S+
Maxim Integrated
DS2460S+
Maxim Integrated
DS2460S+T&R
Maxim Integrated
DS2502S+T&R
Maxim Integrated
DS2431X-S+
Maxim Integrated
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel