casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1220Y-100IND+
Número de pieza del fabricante | DS1220Y-100IND+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1220Y-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220Y-100IND+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220Y-100IND+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1220Y-100IND+-FT |
24FC512T-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-E/ST14
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24LC512T-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
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DS25LV02R+T&R
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DS2502R+T&R
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DS28E05R+T
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DS2502R+00B
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DS2502R-00C+T&R
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DS28E05R+U
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XCVU080-H1FFVC1517E
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A54SX08A-2FG144I
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AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
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10AX032H3F34I2LG
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EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
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