casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / MW6S010MR1
Número de pieza del fabricante | MW6S010MR1 |
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Número de parte futuro | FT-MW6S010MR1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MW6S010MR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 960MHz |
Ganancia | 18dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 125mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 68V |
Paquete / Caja | TO-270-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-270-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MW6S010MR1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MW6S010MR1-FT |
MMRF1004GNR1
NXP USA Inc.
MMRF1015GNR1
NXP USA Inc.
MW6S010GNR1
NXP USA Inc.
MMRF1304GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S27015GNR1
NXP USA Inc.
MRF9030GNR1
NXP USA Inc.
MRF9045GNR1
NXP USA Inc.
MW6S010GMR1
NXP USA Inc.
XC4020XL-09HT144C
Xilinx Inc.
EP20K60ETC144-3N
Intel
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8
Intel
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
10AX048H4F34E3LG
Intel
XC7K160T-2FB676I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP3SE50F780C4LN
Intel