casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / MW6S010MR1
Número de pieza del fabricante | MW6S010MR1 |
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Número de parte futuro | FT-MW6S010MR1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MW6S010MR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 960MHz |
Ganancia | 18dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 125mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 68V |
Paquete / Caja | TO-270-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-270-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MW6S010MR1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MW6S010MR1-FT |
MMRF1004GNR1
NXP USA Inc.
MMRF1015GNR1
NXP USA Inc.
MW6S010GNR1
NXP USA Inc.
MMRF1304GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100GNR1
NXP USA Inc.
MRF6S27015GNR1
NXP USA Inc.
MRF9030GNR1
NXP USA Inc.
MRF9045GNR1
NXP USA Inc.
MW6S010GMR1
NXP USA Inc.
EX256-PTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
XA7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG256
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1DQC
Microchip Technology
EP4S100G2F40I2
Intel
XC2VP7-5FF896I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG100I
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29I3N
Intel