casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / MRF6S19100GNR1
Número de pieza del fabricante | MRF6S19100GNR1 |
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Número de parte futuro | FT-MRF6S19100GNR1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MRF6S19100GNR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 1.99GHz |
Ganancia | 14.5dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 950mA |
Salida de potencia | 22W |
Tensión nominal | 68V |
Paquete / Caja | TO-270BA |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-270-2 GULL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6S19100GNR1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MRF6S19100GNR1-FT |
NPT2010
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A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
10M04SCE144A7G
Intel
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
5CEFA9U19I7N
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel
10AX115R1F40I1SG
Intel