casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / MW6S010GNR1
Número de pieza del fabricante | MW6S010GNR1 |
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Número de parte futuro | FT-MW6S010GNR1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MW6S010GNR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 960MHz |
Ganancia | 18dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 125mA |
Salida de potencia | 10W |
Tensión nominal | 68V |
Paquete / Caja | TO-270BA |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-270-2 GULL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MW6S010GNR1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MW6S010GNR1-FT |
NPT25015D
M/A-Com Technology Solutions
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XC7A35T-L1CSG325I
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A42MX36-PQG240I
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AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX16A-2PQG208
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
10AX016C3U19E2LG
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XC5VLX50-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB3D4F35C5N
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5SGSMD4H3F35C2LN
Intel