casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT61M256M32JE-10 AAT:A
Número de pieza del fabricante | MT61M256M32JE-10 AAT:A |
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Número de parte futuro | FT-MT61M256M32JE-10 AAT:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT61M256M32JE-10 AAT:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | SGRAM - GDDR6 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1.25GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.21V ~ 1.29V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 180-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 180-FBGA (12x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-10 AAT:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT61M256M32JE-10 AAT:A-FT |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel