casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B
Número de pieza del fabricante | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
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Número de parte futuro | FT-MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B-FT |
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.