casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR-FT |
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DAANK-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DABNK-DC
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel