casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B
Número de pieza del fabricante | MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B |
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Número de parte futuro | FT-MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B-FT |
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TP-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DAANK-DC
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel