casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1G64D8SQ-053 WT:E
Número de pieza del fabricante | MT53D1G64D8SQ-053 WT:E |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1G64D8SQ-053 WT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1G64D8SQ-053 WT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1G64D8SQ-053 WT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1G64D8SQ-053 WT:E-FT |
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel