casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D4PV-053 WT:C
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D4PV-053 WT:C |
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Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D4PV-053 WT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4PV-053 WT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4PV-053 WT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D4PV-053 WT:C-FT |
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel