casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR
Número de pieza del fabricante | MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR-FT |
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M16D1Z00MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel