casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B384M64D4NH-062 WT:B
Número de pieza del fabricante | MT53B384M64D4NH-062 WT:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B384M64D4NH-062 WT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B384M64D4NH-062 WT:B-FT |
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M16D1Z00MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel