casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR-FT |
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel