casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR
Número de pieza del fabricante | MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR-FT |
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel