casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR-FT |
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 XT:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel