casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B384M32D2DS-062 AUT:B
Número de pieza del fabricante | MT53B384M32D2DS-062 AUT:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B384M32D2DS-062 AUT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 12Gb (384M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B384M32D2DS-062 AUT:B-FT |
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1Z00NEC2
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel