casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Número de pieza del fabricante | MT53B384M32D2NP-053 WT:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B384M32D2NP-053 WT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M32D2NP-053 WT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 12Gb (384M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M32D2NP-053 WT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B384M32D2NP-053 WT:B-FT |
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z9AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DATG-DC
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel