casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B192M32D1Z9AMWC1
Número de pieza del fabricante | MT53B192M32D1Z9AMWC1 |
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Número de parte futuro | FT-MT53B192M32D1Z9AMWC1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B192M32D1Z9AMWC1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 6Gb (192M x 32) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B192M32D1Z9AMWC1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B192M32D1Z9AMWC1-FT |
MT49H32M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9CBM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel