casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B256M32D1DS-062 AUT:C
Número de pieza del fabricante | MT53B256M32D1DS-062 AUT:C |
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Número de parte futuro | FT-MT53B256M32D1DS-062 AUT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B256M32D1DS-062 AUT:C-FT |
MT41K128M16V89C3WC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel