casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR
Número de pieza del fabricante | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR-FT |
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16Z01AWC1
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel