casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41J128M16JT-107G:K TR
Número de pieza del fabricante | MT41J128M16JT-107G:K TR |
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Número de parte futuro | FT-MT41J128M16JT-107G:K TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41J128M16JT-107G:K TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (8x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41J128M16JT-107G:K TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41J128M16JT-107G:K TR-FT |
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel