casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR-FT |
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel