casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
Número de pieza del fabricante | MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Tb (128G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B-FT |
EDB8164B4PT-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1DAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA364A3PM-GD-F-D
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW9-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW9-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel