casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDB8164B4PT-1DAT-F-D
Número de pieza del fabricante | EDB8164B4PT-1DAT-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDB8164B4PT-1DAT-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (128M x 64) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 216-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 216-FBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDB8164B4PT-1DAT-F-D-FT |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel