casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D4NH-062 WT:C
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D4NH-062 WT:C |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D4NH-062 WT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D4NH-062 WT:C-FT |
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
NV25M01DTUTG
ON Semiconductor
AT88SC0104CA-MJ
Microchip Technology
AT88SC0104CA-MJTG
Microchip Technology
AT88SC25616C-MJ
Microchip Technology
CAT24C32WI-GT3HP
ON Semiconductor
DS28E10P+T
Maxim Integrated
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel