casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFA364A3PM-GD-F-D
Número de pieza del fabricante | EDFA364A3PM-GD-F-D |
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Número de parte futuro | FT-EDFA364A3PM-GD-F-D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFA364A3PM-GD-F-D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFA364A3PM-GD-F-D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFA364A3PM-GD-F-D-FT |
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel