casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
Número de pieza del fabricante | MT40A512M8RH-083E AIT:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT40A512M8RH-083E AIT:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 1.2GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A512M8RH-083E AIT:B TR-FT |
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel