casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR
Número de pieza del fabricante | MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR-FT |
MT40A512M16JY-062E:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-062E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E IT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AUT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel