casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A512M16LY-062E:E TR
Número de pieza del fabricante | MT40A512M16LY-062E:E TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT40A512M16LY-062E:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16LY-062E:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1.6GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16LY-062E:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A512M16LY-062E:E TR-FT |
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel