casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Número de pieza del fabricante | MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 |
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Número de parte futuro | FT-MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G08ABBEAM70M3WC1-FT |
MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel