casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT40A512M16LY-062E:E
Número de pieza del fabricante | MT40A512M16LY-062E:E |
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Número de parte futuro | FT-MT40A512M16LY-062E:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M16LY-062E:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1.6GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16LY-062E:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT40A512M16LY-062E:E-FT |
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation