casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H8M36SJ-25:B TR
Número de pieza del fabricante | MT49H8M36SJ-25:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT49H8M36SJ-25:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H8M36SJ-25:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 288Mb (8M x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H8M36SJ-25:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H8M36SJ-25:B TR-FT |
MT47H128M4B6-25E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel